Propiedades y ventajas del material de los objetivos de tungsteno
Punto de fusión ultra alto y alta resistencia a la temperatura
El tungsteno tiene un punto de fusión de hasta 3422 grados, lo que lo convierte en uno de los metales con el punto de fusión más alto de la naturaleza. Esto le permite mantener una estructura estable en entornos de alta temperatura (como la pulverización de plasma en la fabricación de semiconductores), evitando elobjetivo de tungstenodesde suavizarse o volatilizar debido al calor y afectar la uniformidad de la película.
Excelente conductividad eléctrica y térmica
El tungsteno tiene una alta movilidad de electrones y es adecuado como material de capa conductora (como electrodos de interconexión de chips); Al mismo tiempo, la alta conductividad térmica puede disipar rápidamente el calor generado durante la pulverización y extender la vida útil del objetivo.
Resistencia a la corrosión y desgaste
El tungsteno tiene una fuerte resistencia a entornos corrosivos como ácidos y álcalis, y tiene alta dureza (Dureza 7.5). Es adecuado para su uso en entornos de pulverización con alta intensidad de bombardeo de iones para reducir la pérdida de material objetivo.
Requisitos de alta pureza
La pureza de los objetivos de tungsteno de grado semiconductor generalmente necesita alcanzar más del 99.95%, o incluso el 99.999% (grado 5N) para evitar impurezas que contaminen la película depositada y afectan el rendimiento del dispositivo (como cortos circuitos, fugas, etc.).
Especificación básica y parámetros de pureza del objetivo de tungsteno
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Nombre del artículo |
Objetivo de tungsteno |
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Tamaño |
Personalizado |
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Tamaño de tolerancia |
+\/-0. 2 mm |
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Certificados |
ISO9001: 2008, SGS, el tercer informe de prueba |
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Técnica |
Vim\/HP |
Fotos relacionadas con el objetivo de tungsteno


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